評価・寿命試験サービス
「大容量eMMC/UFSの信頼性評価、膨大な工数と時間で諦めていませんか？」デバイスの信頼性試験を完成品の基板上で行う代わりに、弊社のROMプログラマを用いてデバイス単体で実施します「短時間・低コスト・高信頼」な評価を、無駄のないプロセスで実現いたします私たちが解決する3つの課題
１．「時間」の問題を解決（年単位を数週間に）実機でのイレース/プログラムサイクル試験は数ヶ月?年単位を要しますが、プログラマによるデバイス単体試験なら数週間?数か月という現実的な期間に短縮可能です
２．「コスト」の問題を解決（資産を持たない試験）高額な専用設備や専門要員の確保は不要です。外注化により固定費を削減し、必要な時に必要な分だけ高度な試験リソースを活用いただけます
３．「信頼性」の問題を解決（全領域への負荷）一部のサンプリングではなく、「全領域」に対して繰り返しアクセスを実施。車載などの過酷な環境で求められる厳しい品質基準をデータで証明します
信頼性を担保する「3つの工程」とその目的【事前評価】：お客様にて初期特性の測定【目的】デバイスの初期特性と挙動の確認寿命予測のベースラインとなる初期状態（書込み/読出し時間分布など）を、お客様の実際の使用環境（ユースケース）に沿った条件で測定いただきます実運用を想定した挙動のデータを採取することで、評価試験の精度と信頼性を高めます
１．連続書込み：実運用性能の実証【目的】加速試験によるデバイスの劣化確認実機では年単位を要する負荷試験（指定回数のイレース/プログラムの繰り返し）を数週間に短縮し、デバイスの実運用レベルの劣化を強制的に顕在化させます。
２．リフロー試験：実装耐性の検証【目的】熱ストレスによるデータ保持特性への影響を確認お客様にてリフロー/リボール工程を実施していただき、熱ストレスを与える前のデータと照合。製造プロセスが信頼性に与える影響を確認します
３．温度加速試験：長期寿命の予測【目的】数年後の未来を、数日のベイク試験で再現温度加速（ベイク）により、数年後の状態を疑似的に再現します。ベイク前後のアクセス速度を比較することでデバイスのアクセス速度変化を確認します
【事後評価】：お客様にて特性変化の判定【目的】 連続負荷・加速試験を経た「最終的な信頼性」の判定 負荷試験を終えたデバイスを、再度実際の使用環境（ユースケース）に沿った条件で測定いただきます。「１」の初期データと比 較することで、お客様の使用環境において許容速度を維持できているか信頼性判定を行っていただきます 【例：書込み処理時間散布図】
お客様の課題や開発フェーズに合わせて、必要な工程（プラン）を柔軟に選択・組み合わせていただけますまずは型番をお知らせいただければ、概算の期間と価格を回答いたしますのでお気軽にお問合せくださいお問い合わせは下記へお願いいたします  
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